El hidrógeno se utiliza en el crecimiento de cristales y la preparación de contraste, el proceso de oxidación, el proceso de epitaxia y la deposición química (CVD). La industria de los semiconductores tiene un alto requisito de pureza del gas. La incorporación de trazas de impurezas cambiará la actividad superficial de los semiconductores. Cuando el cloruro de hidrógeno genera SIHCI3 a partir de silicio, se separa mediante un proceso de fraccionamiento y se reduce con hidrógeno a alta temperatura para cumplir con el requisito de pureza del semiconductor: SIHCI3+H2--- -Si+3HCl. El requisito de pureza del hidrógeno es muy alto en el proceso anterior. Las impurezas de monóxido de carbono y dióxido de carbono en el hidrógeno oxidarán el sustrato y formarán polisilicio. Si contiene metano, formará carburo de silicio en la capa exterior, causando defectos. En el pasado, el contenido de oxígeno era inferior a 1 * 10-6 y el punto de rocío era inferior a -70c, pero ahora es más exigente. La producción de hidrógeno por electrólisis del agua puede cumplir con los altos requisitos de los semiconductores para hidrógeno.
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