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Fuente de alimentación RF para PECVD
Él
El sistema PECVD consta de un horno tubular, una cámara de vacío de cuarzo, una cámara de vacío
un sistema de suministro de gas y un sistema de suministro de energía de radiofrecuencia. Principalmente | utilizado para: crecimiento de películas delgadas de metal, películas delgadas de cerámica, películas delgadas compuestas, |
grafeno, etc. Es fácil agregar funciones y puede expandir funciones como | Limpieza y grabado con plasma. El sistema PECVD tiene las ventajas de alta película |
tasa de deposición, buena uniformidad, alta consistencia y estabilidad. | Principales parámetros técnicos de la fuente de alimentación RF: |
Rango de potencia de salida | 0-500W |
Máximo reflejado | energía |
200W | frecuencia de trabajo |
RF: 13,56 MHz ± 0,005% | Estabilidad de potencia |
+/-0.1% | componente armónico |
≤-50dbc | Ancho de la región RF |
0-600mmajustable | manera coincidente |
automático | Modo de enfriamiento |
puntos de frio
Ruido
<50dB
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